BSS84, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 0.17А 0.36Вт, 8.0 Ом
11861 шт. со склада г.Москва, срок 8-10 дней
3 руб.
Мин. кол-во для заказа 148 шт.
от 759 шт. —
2.10 руб.
от 1517 шт. —
1.90 руб.
148 шт.
на сумму 444 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 0.17А 0.36Вт, 8.0 Ом
Технические параметры
| Корпус | sot-23 | |
| Continuous Drain Current (Id) | 130A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 8Ω@100mA, 10V | |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 50V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2V@250uA | |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 30pF@5V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Power Dissipation (Pd) | 225mW | |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 1.77nC@10V | |
| Type | P Channel | |
| Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet BSS84
pdf, 1316 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
