SK30P10, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 13A
7464 шт. со склада г.Москва, срок 8 дней
61 руб.
Мин. кол-во для заказа 8 шт.
от 171 шт. —
51 руб.
от 341 шт. —
46 руб.
от 681 шт. —
45 руб.
8 шт.
на сумму 488 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 13A
Технические параметры
Корпус | DPAK/TO-252AA | |
Continuous Drain Current (Id) | 30A | |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 50mΩ@10V, 10A | |
Drain Source Voltage (Vdss) | 100V | |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.2V@250uA | |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 5.5nF@25V | |
Operating Temperature | -50℃~+155℃ | |
Power Dissipation (Pd) | 120W | |
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 130pF@25V | |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 136nC@50V | |
Type | P Channel | |
Вес, г | 0.57 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 570 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.