FGH4L50T65SQD, TO-247-4 IGBTs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 010 руб.
от 10 шт. —
880 руб.
1 шт.
на сумму 1 010 руб.
Плати частями
от 254 руб. × 4 платежа
от 254 руб. × 4 платежа
Описание
The ON Semiconductor 650 V, 50 A FS4 high speed IGBT. This offer the optimum performance by balancing Vce(sat) and Eoff losses and controllable turnoff Vce overshoot.
Технические параметры
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 200 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 15V |
| Maximum Power Dissipation | 268 W |
| Number of Transistors | 30 |
| Package Type | TO-247-4LD |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 301 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
