FP100R12N2T7B11BPSA1 IGBT, 100 A 1200 V
![FP100R12N2T7B11BPSA1 IGBT, 100 A 1200 V](https://static.chipdip.ru/lib/088/DOC037088040.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
41 720 руб.
Кратность заказа 15 шт.
15 шт.
на сумму 625 800 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon FP100 is a EconoPIM 2 module with IGBT and emitter controlled diode and NTC. Low VCEsat
Технические параметры
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Maximum Continuous Collector Current | 100 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | 20V |
Maximum Power Dissipation | 20 mW |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1457 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем