FP100R12N2T7B11BPSA1 IGBT, 100 A 1200 V

FP100R12N2T7B11BPSA1 IGBT, 100 A 1200 V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
41 720 руб.
Кратность заказа 15 шт.
15 шт. на сумму 625 800 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8026210854
Артикул: FP100R12N2T7B11BPSA1

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon FP100 is a EconoPIM 2 module with IGBT and emitter controlled diode and NTC. Low VCEsat

Технические параметры

Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
Maximum Continuous Collector Current 100 A
Maximum Gate Emitter Voltage 20V
Maximum Power Dissipation 20 mW

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1457 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем