FS100R12KE3BOSA1 IGBT Module, 140 A 1200 V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
56 150 руб.
Кратность заказа 10 шт.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 561 500 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The infineon IGBT module the maximum rated collector emitter voltage is 1200 V and toatal power dissipation is 480 W, maximum gate threshold voltage is 6.
Технические параметры
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 140 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Power Dissipation | 480 W |
| Number of Transistors | 6 |
| Automotive | No |
| Channel Type | N |
| Configuration | Hex |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 1200 |
| Maximum Continuous Collector Current (A) | 140 |
| Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA) | 0.4 |
| Maximum Gate Emitter Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 125 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 480 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -40 |
| Mounting | Screw |
| Packaging | Tray |
| Part Status | NRND |
| PCB changed | 36 |
| Pin Count | 36 |
| PPAP | No |
| Supplier Package | ECONO3-4 |
| Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V) | 1.7 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 282 КБ
Datasheet FS100R12KE3BOSA1
pdf, 449 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем
