GD300HFY120C2S, Модуль IGBT 1200В 600A, 150°C 2.941кВт
![Фото 1/2 GD300HFY120C2S, Модуль IGBT 1200В 600A, 150°C 2.941кВт](https://static.chipdip.ru/lib/913/DOC037913816.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/636/DOC004636335.jpg)
11 шт. со склада г.Москва, срок 8-10 дней
12 480 руб.
от 2 шт. —
11 820 руб.
от 3 шт. —
11 260 руб.
от 4 шт. —
11 100 руб.
1 шт.
на сумму 12 480 руб.
Плати частями
от 3 120 руб. × 4 платежа
от 3 120 руб. × 4 платежа
Описание
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Силовые модули IGBT
Модуль IGBT 1200В 600A, 150°C 2.941кВт
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 2В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
Continuous Collector Current | 600А |
DC Ток Коллектора | 600А |
Power Dissipation | 2.941кВт |
Выводы БТИЗ | Stud |
Конфигурация БТИЗ | Half Bridge |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 2В |
Рассеиваемая Мощность | 2.941кВт |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | Trench Field Stop |
Вес, г | 317.1 |
Техническая документация
Datasheet GD300HFY120C2S
pdf, 171 КБ
Дополнительная информация
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.