GD600HFY120C2S, IGBT модуль 1200B 600А
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 шт. со склада г.Москва, срок 8-10 дней
17 030 руб.
от 2 шт. —
16 540 руб.
1 шт.
на сумму 17 030 руб.
Плати частями
от 4 259 руб. × 4 платежа
от 4 259 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Силовые модули IGBT
IGBT модуль 1200B 600А
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 2В |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
| Continuous Collector Current | 1кА |
| DC Ток Коллектора | 1кА |
| Power Dissipation | 3.409кВт |
| Выводы БТИЗ | Stud |
| Конфигурация БТИЗ | Half Bridge |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
| Монтаж транзистора | Panel |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 2В |
| Рассеиваемая Мощность | 3.409кВт |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Технология БТИЗ | Trench Field Stop |
| Вес, г | 2.27 |
Техническая документация
Datasheet GD600HFY120C2S
pdf, 307 КБ
Дополнительная информация
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
