GD400HFU120C2S, Модуль IGBT 1200В 400A
![Фото 1/2 GD400HFU120C2S, Модуль IGBT 1200В 400A](https://static.chipdip.ru/lib/913/DOC037913856.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/370/DOC035370102.jpg)
2 шт. со склада г.Москва, срок 8-10 дней
12 130 руб.
от 2 шт. —
11 740 руб.
1 шт.
на сумму 12 130 руб.
Плати частями
от 3 034 руб. × 4 платежа
от 3 034 руб. × 4 платежа
Описание
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Силовые модули IGBT
Модуль IGBT 1200В 400A
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 3.1В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
Continuous Collector Current | 660А |
DC Ток Коллектора | 660А |
Power Dissipation | 2.66кВт |
Выводы БТИЗ | Stud |
Конфигурация БТИЗ | Half Bridge |
Максимальная Рабочая Температура | 125°C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 125°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 3.1В |
Рассеиваемая Мощность | 2.66кВт |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | NPT Ultra Fast IGBT |
Вес, г | 313 |
Техническая документация
Datasheet GD400HFU120C2S
pdf, 258 КБ
Дополнительная информация
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.