STGP5H60DF, Транзистор: IGBT; 600В; 5А; 88Вт; TO220AB
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
20 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
350 руб.
от 10 шт. —
260 руб.
1 шт.
на сумму 350 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Transistors/Thyristors\IGBTs
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Energy Rating | 221mJ |
| Gate Capacitance | 855pF |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 10 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 88 W |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Type | TO-220 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
