STGD25N40LZAG, 125W 25A 435V TO-252 IGBTs

STGD25N40LZAG, 125W 25A 435V TO-252 IGBTs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
5 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
810 руб.
1 шт. на сумму 810 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8026394918
Артикул: STGD25N40LZAG
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Automotive-Grade Internally Clamped IGBTs
STMicroelectronics Automotive-Grade Internally Clamped IGBTs use the advanced PowerMESH™ technology optimized for coil driving in harsh environments in automotive ignition systems. These devices show very low on-state voltage and very high SCIS energy capability over a wide operating temperature range. The ESD-protected logic level gate input and an integrated gate resistor mean no external protection circuitry is required.

Технические параметры

Brand: STMicroelectronics
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 400 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.25 V
Configuration: Single
Continuous Collector Current at 25 C: 25 A
Continuous Collector Current Ic Max: 25 A
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 2500
Gate-Emitter Leakage Current: 625 uA
Manufacturer: STMicroelectronics
Maximum Gate Emitter Voltage: -12 V, 16 V
Maximum Operating Temperature: +175 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: DPAK-3
Pd - Power Dissipation: 150 W
Product Category: IGBT Transistors
Product Type: IGBT Transistors
Qualification: AEC-Q101
Series: STGD25N40LZAG
Subcategory: IGBTs
Technology: Si
Вес, г 0.87

Техническая документация

Datasheet
pdf, 539 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.