IKW50N65H5FKSA1, Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 650В 80A 305Вт PG-TO247-3
![Фото 1/3 IKW50N65H5FKSA1, Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 650В 80A 305Вт PG-TO247-3](https://static.chipdip.ru/lib/806/DOC043806596.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/052/DOC045052412.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/517/DOC006517015.jpg)
450 руб.
от 6 шт. —
380 руб.
от 12 шт. —
352 руб.
от 24 шт. —
339 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 450 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 650В 80A 305Вт PG-TO247-3
Технические параметры
Корпус | PG-TO-247-3 | |
Brand: | Infineon Technologies | |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V | |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.65 V | |
Configuration: | Single | |
Continuous Collector Current at 25 C: | 80 A | |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 240 | |
Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA | |
Manufacturer: | Infineon | |
Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, +20 V | |
Maximum Operating Temperature: | +175 C | |
Minimum Operating Temperature: | -40 C | |
Mounting Style: | Through Hole | |
Package / Case: | TO-247-3 | |
Packaging: | Tube | |
Part # Aliases: | IKW50N65H5 SP001001734 | |
Pd - Power Dissipation: | 305 W | |
Product Category: | IGBT Transistors | |
Product Type: | IGBT Transistors | |
Series: | Trenchstop IGBT5 | |
Subcategory: | IGBTs | |
Technology: | Si | |
Tradename: | TRENCHSTOP | |
Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V | |
Maximum Continuous Collector Current | 80 A | |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V | |
Maximum Power Dissipation | 305 W | |
Package Type | PG-TO247-3 | |
Вес, г | 7.987 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 2174 КБ
Datasheet IKW50N65H5
pdf, 2249 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов