STGYA50M120DF3, 535W 100A 1200V Trench FIeld Stop - IGBTs ROHS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
2 640 руб.
1 шт.
на сумму 2 640 руб.
Плати частями
от 660 руб. × 4 платежа
от 660 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
The STMicroelectronics product is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field stop structure.
Технические параметры
| Configuration | Single |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 100 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 20V |
| Maximum Power Dissipation | 535 W |
| Number of Transistors | 1 |
| Package Type | Max247 |
| Вес, г | 6.91 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 2169 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
