SM6S30AHE3-A/I, ESD Suppressors / TVS Diodes TVS 6W UNI
![Фото 1/2 SM6S30AHE3-A/I, ESD Suppressors / TVS Diodes TVS 6W UNI](https://static.chipdip.ru/lib/869/DOC005869898.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/520/DOC006520656.jpg)
330 руб.
Кратность заказа 750 шт.
от 2250 шт. —
315 руб.
750 шт.
на сумму 247 500 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Circuit Protection\ESD Suppressors / TVS Diodes
Подавители ЭСР / диоды для подавления переходных скачков напряжения 6W,30V 5%,SMD PAR AEC-Q101 Qualified
Технические параметры
Iпи - пиковый импульсный ток | 95 A |
Pd - рассеивание мощности | 6 W |
Vf - прямое напряжение | 1.9 V |
Другие названия товара № | SM6S30ATHE3/I |
Категория продукта | Подавители ЭСР / диоды для подавления переходных с |
Квалификация | AEC-Q101 |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | PAR |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение пробоя | 36.8 V |
Напряжение фиксации | 48.4 V |
Подкатегория | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes |
Полярность | Unidirectional |
Размер фабричной упаковки | 750 |
Серия | SM6S_A |
Тип выводов | SMD/SMT |
Тип продукта | TVS Diodes |
Торговая марка | Vishay Semiconductors |
Упаковка | Reel, Cut Tape |
Упаковка / блок | DO-218AB-2 |
Clamping Voltage Max | 48.4В |
Reverse Standoff Voltage | 30В |
Импульсная Рассеиваемая Мощность | 4.6кВт |
Количество Выводов | 2вывод(-ов) |
Линейка Продукции | PAR |
Максимальное Напряжение Пробоя | 36.8В |
Минимальное Значение Напряжения Пробоя | 33.3В |
Полярность Ограничителя Бросков Напряжения | Однонаправленный |
Стиль Корпуса Диода | DO-218AB |
Тип Монтажа Диода | SMD(Поверхностный Монтаж) |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 94 КБ
Datasheet SM6S30AHE3_A/I
pdf, 110 КБ
Диоды защитные импортные
pdf, 732 КБ
Диоды импортные
pdf, 304 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Диоды защитные (TVS)»
Типы корпусов импортных диодов