FGHL75T65MQD, IGBTs 650 V 75 A FS4
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
1 770 руб.
от 10 шт. —
1 460 руб.
от 25 шт. —
1 370 руб.
от 100 шт. —
1 181.34 руб.
1 шт.
на сумму 1 770 руб.
Плати частями
от 444 руб. × 4 платежа
от 444 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
375W 80A 650V FS(Field Stop) TO-247-3 IGBTs ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 80A |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 650V |
Diode Reverse Recovery Time (Trr) | 107ns |
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) | 1.8V@15V, 75A |
Operating Temperature | -55℃~+175℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 375W |
Total Gate Charge (Qg@Ic,Vge) | 149nC |
Turn?off Delay Time (Td(off)) | 181ns |
Turn?off Switching Loss (Eoff) | 1.1mJ |
Turn?on Delay Time (Td(on)) | 32ns |
Turn?on Switching Loss (Eon) | 1.2mJ |
Type | FS(Field Stop) |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов