ES15N10G, полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 12 А, 85 мОм, TO-252 (DPAK)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2400 шт. со склада г.Москва, срок 3 дня
12 руб.
Кратность заказа 100 шт.
100 шт.
на сумму 1 200 руб.
Плати частями
от 300 руб. × 4 платежа
от 300 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
ТРАНЗИСТОРЫ\Транзисторы разные
100V 15A 50W 85mΩ@10V,15.0A 1.7V@250uA N Channel TO-252 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Корпус | TO-252(DPAK) | |
| Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С | |
| Максимальное напряжение сток-исток, В | 100 | |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 12 | |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 85 | |
| Способ монтажа | поверхностный(SMT) | |
| Тип | MOSFET | |
| Тип проводимости | N | |
| Упаковка | REEL, 2500 шт. | |
| Continuous Drain Current (Id) | 15A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 85mΩ@10V, 15.0A | |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.7V@250uA | |
| Power Dissipation (Pd) | 50W | |
| Type | N Channel | |
| Вес, г | 0.76 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
