DGTD120T25S1PT, IGBTs IGBT 1200V-X TO247 TUBE 0.45K
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 100 руб.
от 10 шт. —
1 720 руб.
от 25 шт. —
1 710 руб.
от 100 шт. —
1 448.63 руб.
1 шт.
на сумму 2 100 руб.
Плати частями
от 525 руб. × 4 платежа
от 525 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
The DGTD120T25S1PT is produced using advanced Field Stop Trench IGBT Technology, which provides low VCE(sat), excellent quality and high-switching performance.
Технические параметры
| Gate Capacitance | 3942pF |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 50 A, 100(Pulsed)A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 348 W |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Transistors | 1 |
| Package Type | TO-247 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
Техническая документация
Datasheet DGTD120T25S1PT
pdf, 1689 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
