RGS30TSX2DGC11
![RGS30TSX2DGC11](https://static.chipdip.ru/lib/564/DOC006564231.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
66 шт. со склада г.Москва
1 660 руб.
1 500 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
1 320 руб.
от 19 шт. —
1 160 руб.
от 49 шт. —
1 101.53 руб.
2 шт.
на сумму 3 000 руб.
Плати частями
от 750 руб. × 4 платежа
от 750 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Технические параметры
кол-во в упаковке | 30 |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.7В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
Continuous Collector Current | 30А |
Power Dissipation | 267Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247N |
Вес, г | 7.947 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.