HXY5N50D, полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 500 В, 5 А, 1.8 Ом, 13 нКл, TO-252 (DPAK)
![HXY5N50D, полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 500 В, 5 А, 1.8 Ом, 13 нКл, TO-252 (DPAK)](https://static.chipdip.ru/lib/012/DOC044012736.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2400 шт. со склада г.Москва, срок 3 дня
18 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 200 шт. —
17 руб.
50 шт.
на сумму 900 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
ТРАНЗИСТОРЫ\Транзисторы разные
Технические параметры
Корпус | TO-252(DPAK) | |
Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С | |
Емкость, пФ | 415 | |
Заряд затвора, нКл | 13 | |
Максимальное напряжение сток-исток, В | 500 | |
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 5 | |
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 1800 | |
Способ монтажа | поверхностный(SMT) | |
Тип | MOSFET | |
Тип проводимости | N | |
Упаковка | REEL, 2500 шт. | |
Вес, г | 0.58 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1460 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.