FDB035AN06A0, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 80А, 310Вт, D2PAK
![Фото 1/3 FDB035AN06A0, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 80А, 310Вт, D2PAK](https://static.chipdip.ru/lib/842/DOC033842070.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/763/DOC016763328.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/516/DOC006516337.jpg)
1 340 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 340 руб.
Плати частями
от 335 руб. × 4 платежа
от 335 руб. × 4 платежа
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 80А, 310Вт, D2PAK Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 80 A |
Pd - рассеивание мощности | 310 W |
Qg - заряд затвора | 124 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3.2 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 93 ns |
Время спада | 13 ns |
Высота | 4.83 mm |
Длина | 10.67 mm |
Другие названия товара № | FDB035AN06A0_NL |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | PowerTrench |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 800 |
Серия | FDB035AN06A0 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 38 ns |
Типичное время задержки при включении | 15 ns |
Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
Упаковка / блок | TO-263-3 |
Ширина | 9.65 mm |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 80 A |
Maximum Drain Source Resistance | 7 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 310 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | D2PAK(TO-263) |
Pin Count | 3 |
Series | PowerTrench |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 95 nC @ 10 V |
Width | 11.33mm |
Вес, г | 1.71 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов