FGY75T95LQDT IGBT 950 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
![FGY75T95LQDT IGBT 950 V, 3-Pin TO-247, Through Hole](https://static.chipdip.ru/lib/341/DOC024341966.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 780 руб.
Кратность заказа 2 шт.
2 шт.
на сумму 7 560 руб.
Плати частями
от 1 890 руб. × 4 платежа
от 1 890 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
Trench Field Stop 4th generation Low Vcesat IGBT co−packaged with full current rated diode Maximum Junction Temperature: TJ = 175℃
Технические параметры
Maximum Collector Emitter Voltage | 950 V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 453 W |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Package Type | TO-247 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 619 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем