Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 5.5 A, 7 A, 30 V, 9-Pin DFN3333-9DC HS8MA2TCR1

Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 5.5 A, 7 A, 30 V, 9-Pin DFN3333-9DC HS8MA2TCR1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
75 шт., срок 6 недель
200 руб.
Кратность заказа 25 шт.
25 шт. на сумму 5 000 руб.
Плати частями
от 1 250 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8028829551
Артикул: HS8MA2TCR1
Бренд: Rohm

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The ROHM small signal MOSFET has TSMT8 package type. It is mainly used for switching. Low on - resistance

Технические параметры

Channel Type N, P
Maximum Continuous Drain Current 5.5 A, 7 A
Maximum Drain Source Resistance 0.08 Ω, 0.035 Ω
Maximum Drain Source Voltage 30 V
Maximum Gate Threshold Voltage 2.5 V, 2.5 V
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 2
Package Type DFN3333-9DC
Pin Count 9

Техническая документация

Datasheet
pdf, 4065 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.