Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 5.5 A, 7 A, 30 V, 9-Pin DFN3333-9DC HS8MA2TCR1
![Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 5.5 A, 7 A, 30 V, 9-Pin DFN3333-9DC HS8MA2TCR1](https://static.chipdip.ru/lib/814/DOC040814225.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
75 шт., срок 6 недель
200 руб.
Кратность заказа 25 шт.
25 шт.
на сумму 5 000 руб.
Плати частями
от 1 250 руб. × 4 платежа
от 1 250 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The ROHM small signal MOSFET has TSMT8 package type. It is mainly used for switching. Low on - resistance
Технические параметры
Channel Type | N, P |
Maximum Continuous Drain Current | 5.5 A, 7 A |
Maximum Drain Source Resistance | 0.08 Ω, 0.035 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5 V, 2.5 V |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 2 |
Package Type | DFN3333-9DC |
Pin Count | 9 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 4065 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.