P-Channel MOSFET, 4.5 A, 30 V, 7-Pin DFN1616-7T RW4E045ATTCL1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
100 шт., срок 6 недель
140 руб.
Кратность заказа 25 шт.
25 шт.
на сумму 3 500 руб.
Плати частями
от 875 руб. × 4 платежа
от 875 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The ROHM power MOSFET has TO-220AB package type. It is mainly used for switching. Low on - resistance
Технические параметры
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 4.5 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.48 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | DFN1616-7T |
| Pin Count | 7 |
| Drain Source On State Resistance | 0.034Ом |
| Power Dissipation | 1.5Вт |
| Количество Выводов | 7вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Непрерывный Ток Стока | 4.5А |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
| Рассеиваемая Мощность | 1.5Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.034Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | DFN1616 |
Техническая документация
Datasheet RW4E045ATTCL1
pdf, 2698 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
