N-Channel MOSFET, 70 A, 40 V, 3-Pin TO-220AB RX3G07CGNC16
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
35 шт., срок 6 недель
540 руб.
Кратность заказа 5 шт.
5 шт.
на сумму 2 700 руб.
Плати частями
от 675 руб. × 4 платежа
от 675 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The ROHM power MOSFET has SOP8 package type. It is mainly used for switching. Low on - resistance Small surface mount package
Технические параметры
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 70 A |
Maximum Drain Source Resistance | 0.047 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-220AB |
Pin Count | 3 |
Drain Source On State Resistance | 0.0035Ом |
Power Dissipation | 78Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 40В |
Непрерывный Ток Стока | 70А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
Рассеиваемая Мощность | 78Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0035Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-220AB |
Техническая документация
Datasheet RX3G07CGNC16
pdf, 2613 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.