Dual N-Channel MOSFET, 5.5 A, 60 V, 8-Pin TSMT-8 QH8KC6TCR
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
20 шт., срок 6 недель
250 руб.
Кратность заказа 10 шт.
10 шт.
на сумму 2 500 руб.
Плати частями
от 625 руб. × 4 платежа
от 625 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения3
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The ROHM dual N channel MOSFET which supports 60V withstand voltage. This is designed for 24V input equipment's such as factory automation equipment's, and motors mounted on base stations.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 5.5 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.03 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | TSMT-8 |
| Pin Count | 8 |
| Series | QH8KC6 |
Техническая документация
Datasheet QH8KC6TCR
pdf, 2685 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
