N-Channel MOSFET, 3 A, 800 V, 3-Pin TO-220FM R8003KNXC7G
![Фото 1/2 N-Channel MOSFET, 3 A, 800 V, 3-Pin TO-220FM R8003KNXC7G](https://static.chipdip.ru/lib/817/DOC040817765.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/094/DOC010094697.jpg)
1005 шт., срок 6 недель
730 руб.
Кратность заказа 5 шт.
5 шт.
на сумму 3 650 руб.
Плати частями
от 914 руб. × 4 платежа
от 914 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The ROHM R8xxxKNx series are high-speed switching products, super Junction MOSFET, that place an emphasis on high efficiency.
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 3 A |
Maximum Drain Source Resistance | 1.8 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-220FM |
Pin Count | 3 |
Drain Source On State Resistance | 1.5Ом |
Power Dissipation | 36Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 800В |
Непрерывный Ток Стока | 3А |
Пороговое Напряжение Vgs | 3.5В |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-220FM |
Техническая документация
Datasheet R8003KNXC7G
pdf, 2270 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.