N-Channel MOSFET, 7 A, 60 V HUML2020L8 RF4L070BGTCR
![N-Channel MOSFET, 7 A, 60 V HUML2020L8 RF4L070BGTCR](https://static.chipdip.ru/lib/848/DOC040848655.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
100 шт., срок 6 недель
170 руб.
Кратность заказа 10 шт.
10 шт.
на сумму 1 700 руб.
Плати частями
от 425 руб. × 4 платежа
от 425 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
ROHM RF4G100BG is a power MOSFET with low on resistance and suitable for switching. Low on resistance
Технические параметры
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 7 A |
Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
Mounting Type | Surface Mount |
Package Type | HUML2020L8 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 2696 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.