N-Channel MOSFET, 7 A, 60 V HUML2020L8 RF4L070BGTCR

N-Channel MOSFET, 7 A, 60 V HUML2020L8 RF4L070BGTCR
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
100 шт., срок 6 недель
170 руб.
Кратность заказа 10 шт.
10 шт. на сумму 1 700 руб.
Плати частями
от 425 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8028831470
Артикул: RF4L070BGTCR
Бренд: Rohm

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
ROHM RF4G100BG is a power MOSFET with low on resistance and suitable for switching. Low on resistance

Технические параметры

Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 7 A
Maximum Drain Source Voltage 60 V
Mounting Type Surface Mount
Package Type HUML2020L8

Техническая документация

Datasheet
pdf, 2696 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.