N-Channel MOSFET, 6.5 A, 30 V HEML1616L7 RW4E065GNTCL1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
100 шт., срок 6 недель
170 руб.
Кратность заказа 10 шт.
10 шт.
на сумму 1 700 руб.
Плати частями
от 425 руб. × 4 платежа
от 425 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The ROHM N channel power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application, has 30 V drain-source voltage and 6.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 6.5 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Type | HEML1616L7 |
Техническая документация
Datasheet RW4E065GNTCL1
pdf, 2780 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
