N-Channel MOSFET, 4 A, 20 V, 3-Pin TSMT-3 RUR040N02TL
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
320 шт., срок 6 недель
77 руб.
Кратность заказа 20 шт.
20 шт.
на сумму 1 540 руб.
Плати частями
от 385 руб. × 4 платежа
от 385 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
20V 4A 35mΩ@4A,4.5V 1W 1.3V@1mA null TSMT3 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 4 A |
Maximum Drain Source Resistance | 110 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
Maximum Gate Source Voltage | -10 V, +10 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 1.3V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 1 W |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TSMT-3 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 8 nC @ 4.5 V |
Width | 1.6mm |
Continuous Drain Current (Id) | 6A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 28mΩ@4.5V, 6A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | - |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | - |
Power Dissipation (Pd) | - |
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | - |
Type | N Channel |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.