N-Channel MOSFET, 4 A, 20 V, 3-Pin TSMT-3 RUR040N02TL

N-Channel MOSFET, 4 A, 20 V, 3-Pin TSMT-3 RUR040N02TL
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
320 шт., срок 6 недель
77 руб.
Кратность заказа 20 шт.
20 шт. на сумму 1 540 руб.
Плати частями
от 385 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8028834395
Артикул: RUR040N02TL
Бренд: Rohm

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
20V 4A 35mΩ@4A,4.5V 1W 1.3V@1mA null TSMT3 MOSFETs ROHS

Технические параметры

Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 4 A
Maximum Drain Source Resistance 110 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 20 V
Maximum Gate Source Voltage -10 V, +10 V
Maximum Gate Threshold Voltage 1.3V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 1 W
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type TSMT-3
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Transistor Material Si
Typical Gate Charge @ Vgs 8 nC @ 4.5 V
Width 1.6mm
Continuous Drain Current (Id) 6A
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 28mΩ@4.5V, 6A
Drain Source Voltage (Vdss) 20V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) -
Input Capacitance (Ciss@Vds) -
Power Dissipation (Pd) -
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) -
Total Gate Charge (Qg@Vgs) -
Type N Channel

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 1434 КБ
Datasheet
pdf, 78 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.