STGWA80H65DFBAG, IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT

STGWA80H65DFBAG, IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
14 шт., срок 5-7 недель
1 700 руб.
от 10 шт.1 400 руб.
1 шт. на сумму 1 700 руб.
Плати частями
от 425 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8029256184
Артикул: STGWA80H65DFBAG
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Unclassified
The STMicroelectronics IGBT is developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure.

Технические параметры

Maximum Collector Emitter Voltage 1.65 V
Maximum Continuous Collector Current 80 A
Maximum Gate Emitter Voltage 20V
Maximum Power Dissipation 535 W
Mounting Type Through Hole
Package Type TO-247
Pin Count 3

Техническая документация

Datasheet
pdf, 275 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.