STGWA80H65DFBAG, IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT
![STGWA80H65DFBAG, IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT](https://static.chipdip.ru/lib/865/DOC044865571.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
14 шт., срок 5-7 недель
1 700 руб.
от 10 шт. —
1 400 руб.
1 шт.
на сумму 1 700 руб.
Плати частями
от 425 руб. × 4 платежа
от 425 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
The STMicroelectronics IGBT is developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure.
Технические параметры
Maximum Collector Emitter Voltage | 1.65 V |
Maximum Continuous Collector Current | 80 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | 20V |
Maximum Power Dissipation | 535 W |
Mounting Type | Through Hole |
Package Type | TO-247 |
Pin Count | 3 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 275 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.