AFGHL50T65SQD IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin TO-247
![Фото 1/2 AFGHL50T65SQD IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin TO-247](https://static.chipdip.ru/lib/492/DOC042492905.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/492/DOC042492908.jpg)
780 руб.
Кратность заказа 450 шт.
Добавить в корзину 450 шт.
на сумму 351 000 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The ON Semiconductor Field Stop Trench IGBT offers the optimum performance for both hard and soft switching topology in automotive application.
Технические параметры
Channel Type | N |
Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
Maximum Continuous Collector Current | 80 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±30.0V |
Maximum Power Dissipation | 268 W |
Number of Transistors | 30 |
Package Type | TO-247 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Техническая документация
Datasheet AFGHL50T65SQD
pdf, 251 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем