PSMN4R8-100BSEJ, N-channel 100 V 4.8 m standard level MOSFET in D2PAK
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 шт. со склада г.Москва, срок 9-13 дней
940 руб.
850 руб.
1 шт.
на сумму 850 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 120А, 405Вт, D2PAK Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Brand: | Nexperia |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 800 |
| Fall Time: | 69 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 120 A |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | D2PAK-3 |
| Part # Aliases: | 934067369118 |
| Pd - Power Dissipation: | 405 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 196 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4.8 mOhms |
| Rise Time: | 65 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 127 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 41 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 759 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
