IXTK120N25P, Транзистор: N-MOSFET, Polar™, полевой, 250В, 120А, 700Вт, TO264
![Фото 1/5 IXTK120N25P, Транзистор: N-MOSFET, Polar™, полевой, 250В, 120А, 700Вт, TO264](https://static.chipdip.ru/lib/880/DOC043880064.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/232/DOC000232403.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/529/DOC006529484.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/614/DOC007614612.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/975/DOC036975903.jpg)
4 390 руб.
от 10 шт. —
3 870 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 390 руб.
Плати частями
от 1 099 руб. × 4 платежа
от 1 099 руб. × 4 платежа
Описание
Транзисторы
МОП-транзистор 120 Amps 250V 0.024 Rds
Технические параметры
Корпус | to264 | |
Вид | N-MOSFET | |
Монтаж | THT | |
Мощность, Вт | 700 | |
Напряжение сток-исток, В | 250 | |
Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.024 | |
Тип | полевой | |
Ток стока, А | 120 | |
Id - непрерывный ток утечки | 120 A | |
Pd - рассеивание мощности | 700 W | |
Qg - заряд затвора | 185 nC | |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 24 mOhms | |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 250 V | |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V | |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5 V | |
Вид монтажа | Through Hole | |
Время нарастания | 33 ns | |
Время спада | 33 ns | |
Высота | 26.16 mm | |
Длина | 19.96 mm | |
Канальный режим | Enhancement | |
Категория продукта | МОП-транзистор | |
Количество каналов | 1 Channel | |
Коммерческое обозначение | PolarHT | |
Конфигурация | Single | |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 50 S | |
Максимальная рабочая температура | + 175 C | |
Минимальная рабочая температура | 55 C | |
Подкатегория | MOSFETs | |
Полярность транзистора | N-Channel | |
Размер фабричной упаковки | 25 | |
Серия | IXTK120N25 | |
Технология | Si | |
Тип продукта | MOSFET | |
Тип транзистора | 1 N-Channel | |
Типичное время задержки выключения | 130 ns | |
Типичное время задержки при включении | 30 ns | |
Торговая марка | IXYS | |
Упаковка | Tube | |
Упаковка / блок | TO-264-3 | |
Ширина | 5.13 mm | |
California Prop 65 | Warning Information | |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 120A (Tc) | |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V | |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ECCN | EAR99 | |
FET Type | N-Channel | |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 185nC @ 10V | |
HTSUS | 8541.29.0095 | |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8000pF @ 25V | |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | |
Mounting Type | Through Hole | |
Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) | |
Package | Tube | |
Package / Case | TO-264-3, TO-264AA | |
Power Dissipation (Max) | 700W (Tc) | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 60A, 10V | |
REACH Status | REACH Unaffected | |
RoHS Status | ROHS3 Compliant | |
Series | PolarHTв„ў -> | |
Supplier Device Package | TO-264 (IXTK) | |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | |
Vgs (Max) | В±20V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 500ВµA | |
Вес, г | 27.22 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов