BSS138P,215, Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 360мА, 350мВт, SOT23
![Фото 1/5 BSS138P,215, Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 360мА, 350мВт, SOT23](https://static.chipdip.ru/lib/927/DOC032927082.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/174/DOC007174630.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/436/DOC004436272.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/413/DOC021413223.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/996/DOC034996439.jpg)
2958 шт. со склада г.Москва
9 руб.
от 10 шт. —
8 руб.
от 100 шт. —
5.80 руб.
от 500 шт. —
4.80 руб.
1 шт.
на сумму 9 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения3
Описание
Транзисторы
MOSFET, N CH, 60V, 0.36A, SOT23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:360mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.9ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.2V; Pow
Технические параметры
Корпус | sot23 | |
Вид | N-MOSFET | |
Монтаж | SMD | |
Мощность, Вт | 0.35 | |
Напряжение сток-исток, В | 60 | |
Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 1.6 | |
Тип | полевой | |
Ток стока, А | 0.36 | |
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 360mA | |
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 350mW | |
Rds On - Drain-Source Resistance | 1.6О© @ 300mA,10V | |
Transistor Polarity | N Channel | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60V | |
Vgs - Gate-Source Voltage | 1.5V @ 250uA | |
кол-во в упаковке | 3000 | |
Channel Mode | Enhancement | |
Channel Type | N | |
Maximum Continuous Drain Current | 360 mA | |
Maximum Drain Source Resistance | 1.6 Ω | |
Maximum Drain Source Voltage | 60 V | |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V | |
Maximum Gate Threshold Voltage | 1.5V | |
Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
Maximum Power Dissipation | 420 mW | |
Minimum Gate Threshold Voltage | 0.9V | |
Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
Mounting Type | Surface Mount | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Package Type | SOT-23 | |
Pin Count | 3 | |
Transistor Configuration | Single | |
Transistor Material | Si | |
Typical Gate Charge @ Vgs | 0.72 nC @ 4.5 V | |
Width | 1.4mm | |
Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.