Dual N-Channel MOSFET, 10.5 A, 60 V, 8-Pin SOP SH8KC7TB1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2490 шт., срок 6 недель
510 руб.
Кратность заказа 10 шт.
10 шт.
на сумму 5 100 руб.
Плати частями
от 1 275 руб. × 4 платежа
от 1 275 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения3
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The ROHM low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. This product includes two 60V MOSFETs in a small surface mount package.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 10.5 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0124 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | SOP |
| Pin Count | 8 |
| Drain Source On State Resistance N Channel | 0.0095Ом |
| Drain Source On State Resistance P Channel | 0.0095Ом |
| Power Dissipation N Channel | 2Вт |
| Power Dissipation P Channel | 2Вт |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Истока-стока Vds, N Канал | 60В |
| Напряжение Истока-стока Vds, P Канал | 60В |
| Непрерывный Ток Стока, N Канал | 10.5А |
| Непрерывный Ток Стока, P Канал | 10.5А |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOP |
Техническая документация
Datasheet SH8KC7TB1
pdf, 2670 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
