NXH450B100H4Q2F2PG IGBT Module, 101 A 1000 V Q2BOOST - Case 180BG (Pb-Free and Halide-Free Press Fit Pins)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
65 270 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 65 270 руб.
Плати частями
от 16 319 руб. × 4 платежа
от 16 319 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
NXH450B100H4Q2F2PG IGBT Module, 101 A 1000 V Q2BOOST - Case 180BG (Pb-Free and Halide-Free Press Fit Pins)
The ON Semiconductor Q2BOOST Module is a Si or SiC Hybrid three channel symmetric boost module. Each channel contains two 1000 V, 150 A IGBTs, two 1200 V, 30 A SiC diodes and two 1600 V, 30 A bypass diodes.Технические параметры
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1000 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 101 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Power Dissipation | 79 W |
| Number of Transistors | 2 |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.7В |
| Collector Emitter Voltage Max | 1кВ |
| Continuous Collector Current | 101А |
| DC Ток Коллектора | 101А |
| Power Dissipation | 234Вт |
| Выводы БТИЗ | Press Fit |
| Конфигурация БТИЗ | Dual |
| Линейка Продукции | PW Series |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 175°C |
| Монтаж транзистора | Panel |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1кВ |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.7В |
| Рассеиваемая Мощность | 234Вт |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Технология БТИЗ | IGBT(Trench/Field Stop) |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1280 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем
