N-Channel MOSFET, 70 A, 60 V, 3-Pin TO-220AB RX3L07BGNC16
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1000 шт., срок 6 недель
640 руб.
Кратность заказа 5 шт.
5 шт.
на сумму 3 200 руб.
Плати частями
от 800 руб. × 4 платежа
от 800 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The ROHM N channel power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application, has 60 V drain-source voltage and 70 A drain current, tube packing type.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 70 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220AB |
| Pin Count | 3 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 2679 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
