PJE8405_R1_00001, MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
3975 шт., срок 5-7 недель
120 руб.
от 10 шт. —
92 руб.
от 100 шт. —
54 руб.
от 1000 шт. —
26.87 руб.
1 шт.
на сумму 120 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения4
Описание
Unclassified
30V 500mA 390mΩ@500mA,4.5V 300mW 1.3V@250uA P Channel SOT-523 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 500mA |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 390mΩ@500mA, 4.5V |
Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.3V@250uA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 137pF@15V |
Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 300mW |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 1.6nC@4.5V |
Type | P Channel |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 325 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.