N-Channel MOSFET, 204 A, 1200 V Tray BSM180C12P2E202
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 шт., срок 6 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
189 800 руб.
1 шт.
на сумму 189 800 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The ROHM BSM180C12P2E202 is a Sic power module with low surge and low switching loss suitable for converter photovoltaics wind power generation heating equipment the Sic half bridge power module is deal for applications such as motor drive inverter converter photovoltaics wind power generation induction heating equipment.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 204 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Mounting Type | Screw Mount |
| Package Type | Tray |
| Power Dissipation | 1.36кВт |
| Конфигурация МОП-транзистора | Прерыватель |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Истока-стока Vds | 1.2кВ |
| Непрерывный Ток Стока | 204А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Рассеиваемая Мощность | 1.36кВт |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Техническая документация
Datasheet BSM180C12P2E202
pdf, 1457 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
