N-Channel MOSFET, 180 A, 1200 V Tray BSM180C12P3C202
![Фото 1/3 N-Channel MOSFET, 180 A, 1200 V Tray BSM180C12P3C202](https://static.chipdip.ru/lib/029/DOC045029528.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/111/DOC035111596.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/736/DOC043736542.jpg)
12 шт., срок 6 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
123 400 руб.
1 шт.
на сумму 123 400 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The ROHM BSM180C12P3C202 is a Sic power module with low surge and low switching loss suitable for converter photovoltaics wind power generation heating equipment the Sic half bridge power module is deal for applications such as motor drive inverter converter photovoltaics wind power generation induction heating equipment.
Технические параметры
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 180 A |
Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
Mounting Type | Screw Mount |
Package Type | Tray |
Base Product Number | BSM180 -> |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 180A (Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | N-Channel |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9000pF @ 10V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Operating Temperature | -40В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Bulk |
Package / Case | Module |
Power Dissipation (Max) | 880W (Tc) |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | Module |
Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
Vgs (Max) | +22V, -4V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5.6V @ 50mA |
Power Dissipation | 880Вт |
Конфигурация МОП-транзистора | Прерыватель |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Напряжение Истока-стока Vds | 1.2кВ |
Непрерывный Ток Стока | 180А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 5.6В |
Рассеиваемая Мощность | 880Вт |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Техническая документация
Datasheet BSM180C12P3C202
pdf, 1305 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.