N-Channel MOSFET, 300 A, 1200 V Bulk BSM300D12P3E005
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 шт., срок 6 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
419 800 руб.
1 шт.
на сумму 419 800 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The ROHM BSM300D12P3E005 is a half bridge module consisting of Silicon carbide UMOSFET and Silicon carbide Schottky barrier diode this power module offers low surge low switching loss high speed switching possible reduced temperature dependence the Sic half bridge power module is Sic Mosfet gate drive motor drive inverter converter photovoltaics wind power generation induction heating equipment.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 300 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Mounting Type | Screw Mount |
| Package Type | Bulk |
| Power Dissipation | 1.26кВт |
| Конфигурация МОП-транзистора | Half Bridge |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Истока-стока Vds | 1.2кВ |
| Непрерывный Ток Стока | 300А |
| Полярность Транзистора | Двойной N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5.6В |
| Рассеиваемая Мощность | 1.26кВт |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Техническая документация
Datasheet BSM300D12P3E005
pdf, 866 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
