N-Channel MOSFET, 358 A, 1200 V Tray BSM400C12P3G202
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 шт., срок 6 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
237 700 руб.
1 шт.
на сумму 237 700 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The BSM400C12P3G202 is a chopper module consisting of Sic UMOSFET and Sic-SBD suitable for motor drive converter photovoltaics wind power generation this power module offers low surge low switching loss high speed switching possible reduced temperature dependence the Sic half bridge power module is deal for applications such as motor drive inverter converter photovoltaics wind power generation induction heating equipment.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 358 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Mounting Type | Screw Mount |
| Package Type | Tray |
| Power Dissipation | 1.57кВт |
| Конфигурация МОП-транзистора | Прерыватель |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Истока-стока Vds | 1.2кВ |
| Непрерывный Ток Стока | 400А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5.6В |
| Рассеиваемая Мощность | 1.57кВт |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Техническая документация
Datasheet BSM400C12P3G202
pdf, 900 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
