N-Channel MOSFET, 400 A, 1200 V Bulk BSM400D12P2G003
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 шт., срок 6 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
506 700 руб.
1 шт.
на сумму 506 700 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The ROHM BSM400D12P2G003 is a half-bridge module consisting of Sic DMOSFET and Sic-SBD suitable for motor drive inverter converter photovoltaics wind power generation induction heating equipment this power module offers low surge low switching loss high speed switching possible reduced temperature dependence.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 400 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Mounting Type | Screw Mount |
| Package Type | Bulk |
| Power Dissipation | 2.45кВт |
| Конфигурация МОП-транзистора | Half Bridge |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Истока-стока Vds | 1.2кВ |
| Непрерывный Ток Стока | 400А |
| Полярность Транзистора | Двойной N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Рассеиваемая Мощность | 2.45кВт |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Техническая документация
Datasheet BSM400D12P2G003
pdf, 787 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
