N-Channel MOSFET, 358 A, 1200 V Module BSM400D12P3G002
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 шт., срок 6 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
381 100 руб.
1 шт.
на сумму 381 100 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The ROHM BSM400D12P3G002 is a half bridge module consisting of Sic UMOSFET and Sic-SBD suitable for motor drive inverter converter photovoltaics wind power generation induction heating equipment this power module offers low surge low switching loss high speed switching possible reduced temperature dependence.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 358 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Mounting Type | Screw Mount |
| Package Type | Module |
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 4 |
| Fall Time: | 55 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 358 A |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Mounting Style: | Screw Mounts |
| Package / Case: | Module |
| Packaging: | Cardboard Strips |
| Pd - Power Dissipation: | 1570 W |
| Product Category: | Discrete Semiconductor Modules |
| Product Type: | Discrete Semiconductor Modules |
| Product: | Power MOSFET Modules |
| Rise Time: | 55 ns |
| Subcategory: | Discrete Semiconductor Modules |
| Technology: | SiC |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Type: | SiC Power Module |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 240 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 45 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1200 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -6 V, +22 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5.6 V |
| Vr - Reverse Voltage: | 1200 V |
| Power Dissipation | 1.57кВт |
| Конфигурация МОП-транзистора | Half Bridge |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Истока-стока Vds | 1.2кВ |
| Непрерывный Ток Стока | 400А |
| Полярность Транзистора | Двойной N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5.6В |
| Рассеиваемая Мощность | 1.57кВт |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Техническая документация
Datasheet BSM400D12P3G002
pdf, 1396 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
