N-Channel MOSFET, 576 A, 1200 V Tray BSM600C12P3G201
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 шт., срок 6 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
311 800 руб.
1 шт.
на сумму 311 800 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The ROHM BSM600C12P3G201 is a chopper module consisting of Sic UMOSFET and Sic-SBD suitable for motor drive converter photovoltaics wind power generation induction heating equipment this power module offers low surge low switching loss high speed switching possible reduced temperature dependence.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 576 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Mounting Type | Screw Mount |
| Package Type | Tray |
| Pd - рассеивание мощности | 1570 W |
| Вид монтажа | Screw |
| Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным зат |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Подкатегория | IGBTs |
| Продукт | IGBT Silicon Carbide Modules |
| Размер фабричной упаковки | 4 |
| Технология | SiC |
| Тип продукта | IGBT Modules |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка | Tray |
| Power Dissipation | 2.46кВт |
| Конфигурация МОП-транзистора | Прерыватель |
| Напряжение Истока-стока Vds | 1.2кВ |
| Непрерывный Ток Стока | 600А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5.6В |
| Рассеиваемая Мощность | 2.46кВт |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Техническая документация
Datasheet BSM600C12P3G201
pdf, 921 КБ
Datasheet BSM600C12P3G201
pdf, 950 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
