N-Channel MOSFET, 358 A, 1200 V Module BSM600D12P3G001
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 шт., срок 6 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
463 700 руб.
1 шт.
на сумму 463 700 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The ROHM BSM600D12P3G001 is a half bridge module consisting of Sic UMOSFET and Sic-SBD suitable for motor drive inverter converter photovoltaics wind power generation induction heating equipment this power module offers low surge low switching loss high speed switching possible reduced temperature dependence.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 358 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Mounting Type | Screw Mount |
| Package Type | Module |
| Id - непрерывный ток утечки | 358 A |
| Pd - рассеивание мощности | 1570 W |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1200 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 18 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5.6 V |
| Vr - обратное напряжение | 1200 V |
| Вид монтажа | Screw Mount |
| Время нарастания | 55 ns |
| Время спада | 55 ns |
| Категория продукта | Дискретные полупроводниковые модули |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Подкатегория | Discrete Semiconductor Modules |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Продукт | Power MOSFET Modules |
| Размер фабричной упаковки | 4 |
| Тип | SiC Power MOSFET |
| Тип продукта | Discrete Semiconductor Modules |
| Типичное время задержки выключения | 240 ns |
| Типичное время задержки при включении | 45 ns |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | Module |
| Base Product Number | BSM600 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 600A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| ECCN | EAR99 |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 31000pF @ 10V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Bulk |
| Package / Case | Module |
| Power - Max | 2450W (Tc) |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | Module |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.6V @ 182mA |
Техническая документация
Datasheet BSM600D12P3G001
pdf, 943 КБ
Datasheet BSM600D12P3G001
pdf, 972 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
