BGA855N6E6327XTSA1 , RF Amplifier Low Noise, 17.8 dB 1300 MHz, 6-Pin TSNP-6-10
![Фото 1/2 BGA855N6E6327XTSA1 , RF Amplifier Low Noise, 17.8 dB 1300 MHz, 6-Pin TSNP-6-10](https://static.chipdip.ru/lib/825/DOC044825294.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/487/DOC004487332.jpg)
290 руб.
Кратность заказа 5 шт.
5 шт.
на сумму 1 450 руб.
Плати частями
от 364 руб. × 4 платежа
от 364 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Amplifiers & Comparators\RF Amplifiers ICs
The Infineon low noise amplifier is designed to enhance GNSS signal sensitivity for band L2/L5 especially for very high accuracy.
Технические параметры
Amplifier Type | Low Noise |
Maximum Operating Frequency | 1300 MHz |
Package Type | TSNP-6-10 |
Pin Count | 6 |
Typical Noise Figure | 1.1dB |
Typical Output Power | 60mW |
Typical Power Gain | 17.8 dB |
Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 85°C |
Максимальная Частота | 1.3ГГц |
Максимальное Напряжение Питания | 3.3В |
Минимальная Рабочая Температура | -40°C |
Минимальная Частота | 1.164ГГц |
Минимальное Напряжение Питания | 1.1В |
Стиль Корпуса Радиочастотной Микросхемы | TSNP |
Типичное Значение Коэффициента Шума | 0.6дБ |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Усиление | 17.8дБ |
Техническая документация
Datasheet BGA855N6E6327XTSA1
pdf, 471 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «ВЧ усилители»
Типы корпусов импортных микросхем