FP35R12KT4B11BPSA1 IGBT AG-ECONO2B-711
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
41 110 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 41 110 руб.
Плати частями
от 10 279 руб. × 4 платежа
от 10 279 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon EconoPIM 2 1200 V, 35 A three-phase IGBT module with fast Trench/Field stop IGBT4, Emitter Controlled 4 diode, NTC and PressFIT Contact Technology.
Технические параметры
| Package Type | AG-ECONO2B-711 |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.85В |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
| Continuous Collector Current | 35А |
| DC Ток Коллектора | 35А |
| Power Dissipation | 210Вт |
| Выводы БТИЗ | Press Fit |
| Конфигурация БТИЗ | PIM Three Phase Input Rectifier |
| Линейка Продукции | EconoPIM 2 Series |
| Монтаж транзистора | Panel |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.85В |
| Рассеиваемая Мощность | 210Вт |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Технология БТИЗ | IGBT 4(Trench/Field Stop) |
Техническая документация
Datasheet FP35R12KT4B11BOSA1
pdf, 586 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем
