FP40R12KE3BPSA1 IGBT 1200 V AG-ECONO2C-311
![Фото 1/2 FP40R12KE3BPSA1 IGBT 1200 V AG-ECONO2C-311](https://static.chipdip.ru/lib/825/DOC044825826.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/336/DOC013336007.jpg)
48 200 руб.
1 шт.
на сумму 48 200 руб.
Плати частями
от 12 050 руб. × 4 платежа
от 12 050 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon EconoPIM 2 1200 V, 40 A three-phase IGBT module with TRENCHSTOP IGBT3, emitter controlled 3 diode and NTC.
Технические параметры
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Power Dissipation | 210 W |
Package Type | AG-ECONO2C-311 |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.8В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
Continuous Collector Current | 55А |
DC Ток Коллектора | 55А |
Power Dissipation | 210Вт |
Выводы БТИЗ | Solder |
Конфигурация БТИЗ | PIM Three Phase Input Rectifier |
Линейка Продукции | EconoPIM 2 |
Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 150 C |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.8В |
Рассеиваемая Мощность | 210Вт |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | IGBT 3(Trench/Field Stop) |
Вес, г | 462.7 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 556 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов