FP40R12KT3BPSA1 IGBT, 35 A 1200 V AG-ECONO2C-311
![Фото 1/2 FP40R12KT3BPSA1 IGBT, 35 A 1200 V AG-ECONO2C-311](https://static.chipdip.ru/lib/825/DOC044825830.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/873/DOC037873117.jpg)
48 200 руб.
1 шт.
на сумму 48 200 руб.
Плати частями
от 12 050 руб. × 4 платежа
от 12 050 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon EconoPIM 2 1200 V, 40 A three phase PIM IGBT module with fast TRENCHSTOP IGBT3 and NTC. The PIM with integration of rectifier and brake chopper enables system cost savings.
Технические параметры
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Maximum Continuous Collector Current | 35 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Power Dissipation | 210 W |
Package Type | AG-ECONO2C-311 |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.8В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
Continuous Collector Current | 55А |
DC Ток Коллектора | 55А |
Power Dissipation | 210Вт |
Выводы БТИЗ | Press Fit |
Конфигурация БТИЗ | Seven Pack |
Максимальная Рабочая Температура | 125°C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 125°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.8В |
Рассеиваемая Мощность | 210Вт |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | IGBT 3(Trench) |
Техническая документация
Datasheet FP40R12KT3BOSA1
pdf, 565 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем