FP50R12KT4B11BPSA1 IGBT, 50 A 1200 V AG-ECONO2B-411
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
44 570 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 44 570 руб.
Плати частями
от 11 144 руб. × 4 платежа
от 11 144 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon EconoPIM 2 1200 V, 50 A three phase PIM IGBT module with fast TRENCHSTOP IGBT4, emitter controlled 4 diode, NTC and PressFIT contact technology.
Технические параметры
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 50 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Power Dissipation | 280 W |
| Package Type | AG-ECONO2B-411 |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.85В |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
| Continuous Collector Current | 50А |
| DC Ток Коллектора | 50А |
| Power Dissipation | 280Вт |
| Выводы БТИЗ | Press Fit |
| Конфигурация БТИЗ | PIM Three Phase Input Rectifier |
| Линейка Продукции | EconoPIM 2 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 150 C |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.85В |
| Рассеиваемая Мощность | 280Вт |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Технология БТИЗ | IGBT 4(Trench/Field Stop) |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 828 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем
